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(12/10)自動車の電動化に向けた、 SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けた、
SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向


〜最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで〜

★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

日 時 2018年12月10日(月)  10:30〜16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第1特別講習室  会場地図
講 師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

【経歴・活動】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年〜2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究、量産技術開発に従事。
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」編集委員(電気学会出版)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計,解析技術
【講師WebSite】
http:// power.bk.tsukuba.ac.jp/
受講料(税込) 48,600円  (会員受講料46,170円)  会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額24,300円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考 ※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。


講演趣旨

 2017年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。
 EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(12/10)自動車の電動化に向けた、 SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向

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講演内容

<得られる知識、技術>
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波化のメリット
 1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の今と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新しいコンセプトのIGBT(RC-IGBT)開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのSiに対する利点
 3.4 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
 3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
 3.6 SiCウェハができるまで
 3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET  

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4.5 ノーマリ−オフ特性
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーデバイスの動作パターン
 5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
 5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用

6.まとめ

  □質疑応答・名刺交換□

留意事項

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