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(2/21)プラズマ生成の基礎とプラズマCVD(化学気相堆積)による高品質成膜プロセスのノウハウ

プラズマ生成の基礎と
プラズマCVD(化学気相堆積)による
高品質成膜プロセスのノウハウ


~プラズマCVDによって高品質膜を得ようとした際の意思決定に関わる物理的・化学的なメカニズム~

★ 高品質膜を得ようとした際の、物理的・化学的なメカニズムを理解していただきます。
★ 高品質なプラズマCVD膜を得るために、プラズマ源の選定、装置設定、現象を徹底理解!
★ ハイバリア成膜、親水・撥水、ディスプレイ、集積回路などの応用へ!スパッタでは出来ない高品質成膜へ。


日 時 2020年2月21日(金)  10:30~16:30
会 場 東京・千代田区駿河台 連合会館  4F 405会議室  会場地図
受講料(税込) 49,500円  (会員受講料47,020円)  会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,750円+税4,270円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額24,750円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考 資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

講師

大阪市立大学 大学院工学研究科 教授 白藤 立 氏
【主な研究・専門】

プラズマを用いた材料プロセシングの研究に従事。最近は、大気圧プラズマや液体が関与するプラズマ材料プロセシングの研究に注力している。
【講師WebSite】
http://www.t-shirafuji.jp/

講演趣旨

産業界で高品質なプラズマCVD膜の得るための仕事に従事する方々は、プラズマ源の選定から装置パラメータの設定に至る意思決定をする立場にあると思います。この意思決定を適切に行うためには、各種のプラズマ源の特徴を把握しておく必要があります。
 また、そのプラズマ源を用いたリアクター内で起こる物理・化学的現象が、各種パラメータを変えるとどうなるのか、更にそれが膜質にどのように反映されるのかを把握しておく必要があります。
 本講座では、プラズマCVDによって高品質膜を得ようとした際の意思決定に関わる物理的・化学的なメカニズムを理解して頂くことを趣旨としました。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を ご連絡ください。

(2/21)プラズマ生成の基礎とプラズマCVD(化学気相堆積)による高品質成膜プロセスのノウハウ

価格:

49,500円 (税込)

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講演内容

<得られる知識、技術>
 目的に応じたプラズマ源の選定指針を会得して頂くとともに、そのプラズマ源を用いたときに、ガス流量、圧力、投入電力、基板温度などの操作パラメータを増減させるということが、成膜プロセスに対して何をしていることを意味するのかを理解する。

<プログラム>
1.プラズマと気体放電の基礎
 1.1 プラズマの温度

   (低温大気圧プラズマはどうしてできるのか?)
 1.2 壁との境界「シース」
   (プロセスでは表面近傍の理解が大切!)
 1.3 Townsendの放電理論とPaschenの法則
   (そもそも放電しないと話にならない!)

2.プラズマ源
 2.1 DC放電プラズマとシース

   (プラズマ中の電位構造の理解がイオン衝撃の理解に繋がる!)
 2.2 RF放電プラズマの基礎と装置構造
   (電極非対象とコンデンサの効能)
 2.3 高密度プラズマ源は何故高密度か?
   (電子の直進か回転かが密度の決め手!)

3.プラズマ化学工学
 3.1 制御パラメータと内部パラメータ

   (操作できるのは何か、実際には何が変わるのか?)
 3.2 電子の分布関数
   (電子のエネルギーは数十eVまで拡がる!)
 3.3 一次反応
   (電子衝突解離で何ができるのか? それは制御可能なのか?)
 3.4 二次反応
   (電子衝突解離で何が生成されるかが関係無い、ということもある!)
 3.5 輸送過程
   (通常は拡散だが、イオンのドリフトを使うとイオン衝撃効果援用)
 3.6 表面反応過程
   (表面で動くことの重要性。それを制御するパラメータは?)

4.薄膜堆積プロセス
 4.1 膜構造形成過程の基本的描像

   (この描像をまずもつべし!)
 4.2 電子材料としての膜構造
   (欠陥とは何か? 何故形成されるのか?)
 4.3スパッタ成膜とその特徴
   (スパッタで出来ないことやるのがCVD)
 4.4 プラズマCVDとその特徴
   (では、CVDでは何ができるのか?)
 4.5 a-Si:H成膜過程と物性
   (最も良く理解されている描像)
 4.6 イオン衝撃の効能
   (制御によって毒にも薬にもなる)
 4.7 機能基の含有
   (電子エネルギー分布の制御と二次反応の賜物)

  □質疑応答・名刺交換□

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