カートをみる マイページへログイン ご利用案内 お問い合せ お客様の声 サイトマップ

当社コンサルテーションへのご要望・ご質問・お問合せはこちら

(11/14)<4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ> パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解と MOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

<4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ>
パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解と
MOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

〜SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価〜

★ 良好なMOS特性に必要なのは、SiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化すること。
★ SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づき、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論する。

日 時 2018年11月14日(水)  13:00〜16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  5F  第1講習室  会場地図
講 師 東京大学 大学院工学系研究科 准教授 喜多 浩之 氏
【経歴・専門・研究内容】

2001年10月 東京大学 大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 助手
2007年 4月 同専攻 講師
2010年 5月 同専攻 准教授
CMOS用高誘電率ゲート絶縁膜技術の開発、GeチャネルCMOSプロセス開発、SiCパワーデバイス用ゲート絶縁膜技術の開発など、一貫して材料科学に基づく半導体―絶縁膜界面反応の理解とデバイス特性制御に関する研究に従事。
【講師WebSite】
http://www.scio.t.u-tokyo.ac.jp/​
受講料(税込) 43,200円  (会員受講料41,040円)  会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額21,600円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。


講演趣旨

 4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか? 
 本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(11/14)<4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ> パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解と MOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

価格:

43,200円 (税込)

[ポイント還元 2,160ポイント〜]
購入数:

在庫

在庫あり

返品期限・条件 商品種別による返品の詳細はこちら
この商品について問い合わせる
友達にメールですすめる


講演内容

<得られる知識・技術>
・SiC特有の、MOSデバイス形成の課題と、その克服のための指針
・SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法

<プログラム>
1.SiCパワー半導体の特徴

 1.1 パワーデバイスへの期待
 1.2 SiCを用いることの利点
 1.3 SiCパワーデバイスの現状
 
2.SiCの熱酸化の理解

 2.1 MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
 2.2 SiCと酸素の熱力学
 2.3 SiCの熱酸化機構と速度論
 2.4 SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
 2.5 SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
 
3.SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針

 3.1 MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
 3.2 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
 3.3 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
 3.4 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
 3.5 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い

4.SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
 4.1 SiC MOSFETの動作と課題
 4.2 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?

  □質疑応答・名刺交換□

留意事項

※書籍・セミナー・イーラーニングBOOKのご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

当社ホームページからお申込みいただきますと、サイエンス&テクノロジー株式会社から受講券および会場案内等をご指定の住所に送付いたします。
また、お申込の際、事前に会員登録をしていただきますとご購入時にポイントが付与され、 貯まったポイントはセミナーや書籍等のご購入にご利用いただけます。
会員登録はこちら

ご請求書は、弊社より別途郵送いたします。
銀行振り込みまたは郵便振替を選択された場合は、貴社お支払い規定(例:翌月末までにお振込み)に従い、お振込みをお願いいたします。
恐れ入りますが、振り込み手数料はご負担くださいますようお願いいたします。

個人情報等に関しましては、セミナーご参加目的に限り、当社からサイエンス&テクノロジー株式会社へ転送いたします。

お見積書や領収書が必要な場合もお申し付けください。
ご要望・ご質問・お問合せはこちら

【お支払方法について】

以下のお支払方法がご利用いただけます。

1.銀行振り込み、郵便振替
銀行振込 郵便振替
ご請求書を郵送いたします。
貴社お支払規定に従い、お振込ください。(セミナー当日までにお振込頂く必要はございません。)

2.クレジットカード
クレジットカード

3.楽天ID決済
楽天ID決済

4.コンビニ決済
クレジットカード

【領収書について】
領収書が必要な場合は、ご連絡ください。上記のいずれのお支払方法でも領収書を発行させて頂きます。

【同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)について】
同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)を申し込まれる場合、以下のように入力をお願いいたします。
  1. 同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)で、「2名で参加」または「3名で参加」を選択してください。
  2. 購入数には、ご参加される人数を入力してください。(2名または3名)
システムの制限上、合計金額は人数分表示されますが、実際のご請求は割引後の価格でさせて頂きます。

関連商品

ページトップへ