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(2/26)ミストCVD技術の開発と今後の可能性

ミストCVD技術の開発と今後の可能性

非真空プロセス、低イニシャルコスト・運用コスト、大面積の膜形成が可能などと言った特徴を持つ薄膜形成技術ミスト化学気相成長法(Mist Chemical Vapor Deposition:Mist CVD)。本セミナーでは、そのミストCVDの概要から作製した膜やデバイスの特性、技術動向、今後の展望まで解説する。

日 時 2019年2月26日(火)  12:30〜16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  6階 中会議室  会場地図
講 師 高知工科大学 システム工学群 准教授 川原村 敏幸 氏
【学位】  博士(工学)
【専門】  化学工学・電子工学
【学会等】 CVD研究会 幹事、応用物理学会 プログラム委員、薄膜材料デバイス研究会 実行委員(助成金担当)
      日本真空学会関西支部 幹事、ICMOVPE-XIX 実行委員(庶務)
受講料(税込) 43,200円  (会員受講料41,040円)  会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額21,600円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考資料付
得られる知識・機能膜作製プロセス
・大気圧・非真空プロセス
・溶液プロセス
・ミストCVD
・電子デバイス(ディスプレイ・センサー・スイッチング素子・発光素子・量子素子)
・コーティング(不動態膜・透明導電膜)
・組成制御
・反応工学

講演趣旨

 大気圧下で大面積に亘り高品質な機能膜を形成するための技術として開発してきたミストCVDに関して、経緯、歴史、作製膜の特性、デバイス、ミストCVDに関する物理、次世代へ向けた開発の方向性等、詳しく説明します。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(2/26)ミストCVD技術の開発と今後の可能性

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講演内容

第1部 ミストCVD技術の開発
1.緒言
 1.1 自己紹介
 1.2 高知工科大学について
 1.3 高知工科大学 総合研究所について
 
2.機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
 2.1 どういった物に利用されているのか
 2.2 それらを作製するシステムの大きさやコストについて
 2.3 省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
 2.4 大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント
 
3.ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
 3.1 ミスト法とは
 3.2 従来の成膜手法に対するミストCVD法の立場
 3.3 超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
 
4.原料供給手段に超音波噴霧を利用する利点
 4.1 各種液滴の発生法
 4.2 一般環境下で薄膜を形成するために適した液滴発生法とは
 
5.ミスト流を用いた機能膜作製システムの装置群
 5.1 ミスト流を用いた機能膜作製システム
 5.2 原料供給器
 5.3 成膜反応装置周囲の基本システム
 
6.ミストCVDの物理1
 6.1 均質膜を作製する為の3つの手段
 6.2 液滴のライデンフロスト状態
 
第2部 ミストCVD技術の応用と発展
7.ファインチャネル(FC)システムvsホットウォール(HW)システム
 7.1 解析構造・条件
 7.2 結果
 
8.ミストCVDで作製出来る機能膜
 8.1 これまでに形成できた薄膜種
 8.2 酸化亜鉛系(ZnO)
 8.3 酸化ガリウム系(Ga2O3)
 8.4 酸化アルミニウム(AlOx)
 8.5 酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)
 8.6 有機膜
 8.7 層状硫化モリブデン(MoS2)
 8.8 その他
 
9.ミストCVDで作製したデバイス
 9.1 大気圧手法により形成された酸化物TFTの現状
 9.2 ミストCVDによるIGZO TFTの作製
 9.3 特性および最適化
 9.4 その他のデバイス(IGZO, Ga2O3, SnO2 MESFET, Organic SC等)
 
10.ミストCVDによる量子素子の作製とその特徴
 10.1 大気圧下で量子井戸が形成できる理由
 10.2 作製した量子井戸の特徴
 
11.ミストCVDの物理2
 11.1 ミスト同士は衝突しない
 11.2 複合反応の抑制
 11.3 組成制御技術
 
12.ミストCVDの物理3
 12.1 反応炉内でのミスト液滴の挙動
 12.2 ミスト流を利用した成膜プロセスにおける反応メカニズム
 
13.まとめ
 13.1 ミストCVDとこれからのミストCVD
 13.2 ミストCVDの他なる可能性
 
□ 質疑応答・名刺交換 □

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