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(3/27)半導体デバイス製造における 各プロセス技術の基礎、俯瞰と 最近の動向の把握

半導体デバイス製造における
各プロセス技術の基礎、俯瞰と
最近の動向の把握


〜前工程から後工程、デバイス・材料技術、信頼性への影響〜
〜何が変わってきたのか、何が求められているのか〜
〜半導体デバイス製造技術の総合知識〜

個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化を俯瞰

最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術と
 それに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説

半導体デバイス製造技術の「これまで」「いま」「これから」を把握する

日 時 2019年3月27日(水)  10:30〜16:30
会 場 東京・千代田区駿河台 連合会館  4F 404会議室  会場地図
受講料(税込) 48,600円  (会員受講料46,170円)  会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額24,300円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講師

(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
※元NEC/東京精密/ニッタハース/ディスコ
【講師紹介】


講演趣旨

 半導体デバイスの製造方法を基礎から解説します。ウエハ上にトランジスタや配線を形成する前工程と、個片化してパッケージに組み立てる後工程それぞれについて、個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化まで俯瞰します。最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説します。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(3/27)半導体デバイス製造における 各プロセス技術の基礎、俯瞰と 最近の動向の把握

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講演内容

1.半導体デバイスの基礎と最新動向
 1.1 AIとIoT
 1.2 トランジスタの基礎
 1.3 3次元トランジスタ
 1.4 メモリの基礎と3DNAND
 1.5 前工程と後工程

2.前工程
 2.1 形作りの基本
 2.2 半導体の基本モジュール
  2.2.1 STI
  2.2.2 トランジスタ
  2.2.3 配線
 2.3 個別プロセスの詳細
  2.3.1 酸化
  2.3.2 成膜
  2.3.3 リソグラフィー
  2.3.4 エッチング
  2.3.5 CMP
  2.3.6 洗浄

3.後工程
 3.1 パッケージの種類と構造
  3.1.1 リードフレームを用いるパッケージ
  3.1.2 パッケージ基板を用いるパッケージ
  3.1.3 ウエハレベルパッケージ
  3.1.4 SIP
 3.2 個別プロセスの詳細
  3.2.1 裏面研削
  3.2.2 ダイシング
  3.2.3 ダイボンディング
  3.2.4 ワイヤボンディング
  3.2.5 モールディング
  3.2.6 バンプ形成
 3.3 最新パッケージ技術
  3.3.1 FOWLP
  3.3.2 CoWoS
  3.3.3 部品内蔵基板

  □質疑応答□

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