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(7/1)ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド
しかし、ダイヤモンド半導体にしかない常識はずれな半導体特性も持っています
 そんなダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説します!

日 時 2019年7月1日(月)  13:00〜16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4 F 第1特別講習室  会場地図
受講料(税込) 43,200円  (会員受講料41,040円)  会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額21,600円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
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備 考資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

講師

金沢大学 ナノマテリアル研究所 徳田 規夫 氏  【講師情報】
【専門】 半導体工学
2016年 世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功


講演趣旨

 ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。

 本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果(例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等)を中心に解説します。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(7/1)ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

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講演内容

1.はじめに
 1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
 1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史

2.ダイヤモンドウェハ製造技術
 2.1 成長技術(高温高圧、プラズマCVD、熱フィラメントCVD)
 2.2 不純物ドーピング技術
 2.3 スライス・カット技術
 2.4 研磨技術

3.ダイヤモンドダイオード
 3.1 ショットキーバリアダイオード
 3.2 PN接合ダイオード
 3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)

4.ダイヤモンドトランジスタ
 4.1 MESFET
 4.2 JFET
 4.3 BJT
 4.4 MOSFET

5.その他のデバイス応用
 5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
 5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
 5.3 ダイヤモンド中 窒素-空孔(NV)中心を用いた量子デバイス/センサ

6.まとめと今後の展開

  □質疑応答・名刺交換□

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※書籍・セミナー・イーラーニングBOOKのご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

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