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(1/30)EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と 課題解決策および今後の展望

粉粒体へのコーティング・表面改質技術

■レジスト材料プロセス、マスク欠陥技術、ペリクル技術、EUV用光源技術、Beyond EUV■

★ ここ数年で大きくシェアを伸ばしているEUVリソグラフィー!
★ 5nm nodeに向けた課題解決へ!半導体微細加工周辺技術を学ぶ!

日 時 2020年1月30日(木)  10:30~16:30
会 場 東京・港区浜松町 ビジョンセンター浜松町  4 F Kルーム  会場地図
講 師 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 所長・教授 渡邊 健夫 氏
<経歴・研究歴>
昭和61年 関西医科大学教養部物理学教室非常勤講師
平成 2年 大阪市立大学大学院理学研究科後期博士課程修了 理学博士
平成 2年 シャープ(株)中央研究所 DRAMの研究開発に従事
光リソグラフィー、電子線リソグラフィー、X線等倍露光、極端紫外線リソグラフィーの半導体微細加工の研究開発に従事
平成 8年 旧姫路工業大学高度産業科学技術研究所助手
      極端紫外線リソグラフィーの研究開発に従事
平成16年 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所助教
      極端紫外線リソグラフィーの研究開発に従事
平成20年 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所准教授
平成27年 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所教授
      同研究所極端紫外線リソグラフィー研究開発センター センター長
平成28年 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 所長・教授
<受賞歴>
1) 第7回日本物理学会論文賞, 渡邊健夫他、3月26日,2002.
2) Best Poster Award 1st Place, Takeo Watanabe, 2008 International Workshop on EUV Lithography, 2008.6.12.
3) Best Paper Award, Takeo Watanabe, 2013 International Workshop on EUV Lithography, 2013.6.14.
4) 大阪ニュークリアサイエンス協会賞, 渡邊健夫, 2016.5.26.
<国際学会の活動>
1) フォトポリマー国際会議(International Conference of Photopolymer Science and Technology (ICPST).)、理事、国際局長、EUVL国際シンポジウム議長
2) フォトマスクジャパン(International Conference on Photomask Japan)、組織委員会委員長
3) International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN)、プログラム委員
4) nternational Roadmap for Device and System (IRDS), Lithography Committee member
<WebSite>
http://www.lasti.u-hyogo.ac.jp
受講料(税込) 49,500円  (会員受講料47,020円)  会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,750円+税4,270円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額24,750円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

講演趣旨

 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)技術は30年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。しかしながら、5 nm nodeに向けて多くの課題を抱えています。
 EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(1/30)EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と 課題解決策および今後の展望

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講演内容

<得られる知識・技術>
 極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

<プログラム>
1.はじめに
 1.1 IoTおよびAIに期待すること
 1.2 半導体市場
 1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
 1.4 半導体微細加工技術の必要性
 1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
 1.6 今後の半導体技術に期待すること

2.リソグラフィー技術
 2.1 リソグラフィー技術の変遷
 2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
 2.3 EUVリソグラフィーとは?
   ~EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要~

3.兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
 3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
 3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

4.EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
 4.1 レジスト材料プロセス技術
 4.2 マスク欠陥技術
 4.3 ペリクル技術
 4.4 EUV用光源技術

5.Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波長化)の可能性

6.日本の半導体技術の過去、現在、今後
  ~日本の半導体技術の覇権に重要な要素~

7.まとめ


  □質疑応答・名刺交換□

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