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(6/30)CMP技術および その最適なプロセスを実現するための総合知識 ~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、 応用プロセス、研磨メカニズム~

CMP技術および
その最適なプロセスを実現するための総合知識
~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の
技術、応用プロセス、研磨メカニズム~


■スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価■
■デバイス応用事例、様々な基板研磨技術■
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル■

CMP及び周辺の技術・材料に携わる方々は是非

スラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示

研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して

最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術

半導体デバイス製造において、今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌


日 時 2020年6月30日(火)  10:30~16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第2特別講習室   会場地図
受講料(税込) 49,500円    
定価:本体45,000円+税4,500円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額24,750円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 会員登録について
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※その他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
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調整させて頂きます。

ポイント還元 誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。
当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。
ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。
会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。
備 考 ※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。
得られる知識 ・CMPに関わるあらゆる基礎知識~
 装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
 材料・プロセス評価技術
 デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
・CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル
  キーワード:CMP研磨パッド、スラリー、EPD、研磨ヘッド、FinFET、CuCMP、シリコンウエハ、サファイア、SiC

講師

(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
※元NEC/東京精密/ニッタハース/ディスコ
【講師紹介】


講演趣旨

 CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(6/30)CMP技術および その最適なプロセスを実現するための総合知識 ~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、 応用プロセス、研磨メカニズム~

価格:

49,500円 (税込)

[ポイント還元 2,475ポイント~]
購入数:

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在庫あり

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講演内容

1.CMP装置
 1.1 CMP装置の構成
 1.2 ヘッド構造
 1.3 終点検出技術
 1.4 APC
 1.5 洗浄

2.CMPによる平坦化
 2.1 CMPによる平坦化工程の分類
 2.2 平坦化メカニズム

3.CMP消耗材料
 3.1 各種スラリーの基礎
 3.2 砥粒の変遷
 3.3 添加剤の役割
 3.4 スラリーの評価方法
 3.5 研磨パッドの基礎
 3.6 研磨パッドの評価方法
 3.7 コンディショナーの役割

4.CMPの応用
 4.1 最新配線構造とCMPの詳細
 4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
 4.3 3DNANDにおけるCMP
 4.4 ウエハ接合技術とCMP
 4.5 各種基板CMP

5.CMPの材料除去メカニズム
 5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
 5.2 新しいモデル~Feret径モデル
 5.3 Feret径モデルの数値検証
 5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
 5.5 研磨対象別材料除去メカニズム

まとめ

  □質疑応答□

留意事項

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