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(3/19)半導体メモリの技術・市場動向と 今後求められるであろう製造・材料技術

半導体メモリの技術・市場動向と
今後求められるであろう製造・材料技術


〜AI・ビッグデータの普及により転機を迎える半導体メモリ市場・技術の現在とこれから〜

半導体市場を俯瞰しながら半導体メモリの製造技術動向を解説。半導体の"これから"を見通します。

日 時 2019年3月19日(火)  13:00〜16:00
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん  6 階 中会議室  会場地図
受講料(税込) 43,200円  (会員受講料41,040円)  会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額21,600円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考資料付
得られる知識 ・半導体デバイス市場と技術の全貌
・半導体製造装置についての概略
・最新半導体メモリの種類、構造
・3D-NANDについての詳細製造工程
・EUVとAIの現状と問題
対 象  半導体関連の若手技術者の入門的役割と装置メーカー、材料メーカーでどのように装置、材料が使われるかについて知りたい技術者に全貌を掴んでもらうことを目的としています。従いまして一つについて深くというよりは短時間で半導体関連市場、技術の全貌を理解する事を優先しました。

講師

理学博士 石川 道夫 氏 (元Samsung 日本研究所)


講演趣旨

 半導体市場はビッグデータとAI、の急速な進歩により現在急激に変化しつつあります。本セミナーでは半導体に関連した市場の構成を説明し、次に技術の変化について説明します。従来の技術ロードマップ(ITRS→IRDS)にあった微細化は限界をむかえ、EUVを使った新規な微細化と3次元化が並行して進んでいます。この進化の概略を説明したのち半導体の製造装置について説明します。

 新規に開発されているSi以外のメモリ(RRAM、PRAM、MRAM、FRAM)は製法も異なるため製造装置を理解する事により材料、装置などの関連性がわかりやすくなります。次に今最も新しい量産メモリーである3D-NANDについて工程を詳しく説明します。200層にも及ぶ成膜、超深穴のエッチングなど工程を具体的に示して説明します。これにより半導体の製造に関わる問題点と将来の課題が浮き彫りになってきます。最後に微細化の極限であるEUVについて簡単に触れることで半導体関連の将来像が完成します。

 半導体デバイスや装置、材料を個々に説明する資料はありますが、全体を関連付けて見通す機会は余りありません。本セミナーではすべてを関連付けて説明することにより、業界の全貌を理解する事が出来ます。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(3/19)半導体メモリの技術・市場動向と 今後求められるであろう製造・材料技術

価格:

43,200円 (税込)

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講演内容

1.半導体産業の構造
 1.1 半導体に関連した産業の全体構造と関連性
 1.2 半導体市場
 1.3 半導体製造装置市場
 1.4 関連材料市場
 1.5 検査機市場

2.半導体の進化の歴史と今後の方向
 2.1 ITRSからIRDS(デバイスの世界基準ロードマップ)
 2.2 微細化の方向(EUV)
 2.3 3次元化の方向(3D-NAND)
 2.4 Si以外の物質の取入れ(新メモリ)
 2.5 上記各デバイスの使われ方の変化(PCの構成を例に説明)

3.半導体製造の前工程の概略と課題
 3.1 製造工程の流れ
 3.2 成膜装置
 3.3 露光装置
 3.4 エッチング装置
 3.5 洗浄装置
 3.6 CMP工程

4.メモリの種類と構造、特徴
 4.1 DRAM
 4.2 SRAM
 4.3 NAND(3D)
 4.4 FRAM(強誘電体メモリ)
 4.5 RRAM(抵抗変化メモリ)
 4.6 PRAM(相変化メモリ)
   → X-ポイントメモリ
 4.7 MRAM(磁気抵抗変化メモリ)

5.急速に進化した3D-NANDの構造と作製工程
 5.1 NANDメモリの構造と原理
 5.2 3D-NAND作製工程
 5.3 気が遠くなる96層成膜
 5.4 芸術的なエッチング
 5.5 常識を覆したトランジスターの形成
 5.6 信じられない電極成膜技術
 5.7 ダメ押しであきれるエッチング
 5.8 3Dはどこまでできるのか?

6.AIチップ実用化
 6.1 AIの問題
 6.2 EUV関連技術の急激な必要性

7.今後の半導体による我々の環境変化

8.半導体製造に求められる技術と関連業界の協力体制

9.質疑応答

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