カートをみる マイページへログイン ご利用案内 お問い合せ お客様の声 サイトマップ

当社コンサルテーションへのご要望・ご質問・お問合せはこちら

(10/2、3)<ドライエッチング:2日間特別セミナー> ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応制御/ 最新動向とプラズマダメージ、アトミックレイヤーエッチング

<ドライエッチング:2日間特別セミナー>
ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応制御/
最新動向とプラズマダメージ、アトミックレイヤーエッチング


【1日目】 ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
【2日目】 ドライエッチングの最新動向とプラズマダメージ/アトミックレイヤーエッチング

~ドライエッチングのプロと材料メーカーエンジニアのための特別講座~

このページはドライエッチング2日間セミナーのページです。1日目のみの受講はこちら2日目のみの受講はこちら
※1日目と2日目で別の方(代理の方)のご出席も可能です。[但しテキストは1冊です。ご申告は不要です。]

★ 大好評 累計第8回!ドライエッチング技術のすべて。1日目は午後~スタート、2日目は13:00までで学べます。
★ 半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置がわかる!
★ 極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムがわかる!
★ 今注目でホットなアトミックレイヤーエッチング(ALE)を詳説、プラズマダメージの発生メカニズムから対策も解説!

日 時 【1日目】 2019年10月2日(水)  13:00~16:30
【2日目】 2019年10月3日(木)  9:30~13:00
会 場 【1日目】 東京・大田区平和島 東京流通センター 2 F  第1会議室

会場地図

【2日目】 東京・大田区平和島 東京流通センター 2 F  第1会議室

会場地図

講 師 ナノテクリサーチ 代表 野尻 一男 氏
【元・ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー(2018.11まで)】


【経歴】
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。2017年ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。2019年独立。ナノテクリサーチ代表として技術及び経営のコンサルティングを行っている。

1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
受講料(税込) 66,000円  (会員受講料62,700円)  会員登録について
定価:本体60,000円+税6,000円
会員:本体57,000円+税5,700円
上記は全2コース申込みの受講料となります。
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額33,000円)】

※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※会員割引やその他の割引の併用はできません。

 なお、本システムのお申し込み時のカート画面では割引は表示されませんが、
上記条件を満たしていることを確認後、ご請求書またはクレジット等決済時等に
調整させて頂きます。

備 考 ※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

※複数名で受講の際は、備考欄に受講される方の「氏名・部署名・メールアドレス」を
ご連絡ください。

(10/2、3)<ドライエッチング:2日間特別セミナー> ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応制御/ 最新動向とプラズマダメージ、アトミックレイヤーエッチング

価格:

66,000円 (税込)

[ポイント還元 3,300ポイント~]
購入数:

在庫

在庫あり

返品期限・条件 商品種別による返品の詳細はこちら
この商品について問い合わせる
友達にメールですすめる


講演内容講演趣旨

■【1日目:基礎コース】2019年10月2日(水) 13:00~16:30
ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
1日目のみお申込みされる方はこちら

<趣旨>
 ドライエッチング技術は、半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プラズマを用いた物理化学反応でエッチングが進むため、電気、物理、化学の総合的な知識を必要とし、かつチャンバー内で起こっている現象が複雑なため理解を難しくしています。特に半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、自分たちの技術との関連でドライエッチングを理解することはきわめて難しい状況にあります。
 本セミナーではドライエッチングのメカニズム、各種材料のエッチング、およびドライエッチング装置について分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここではプラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。また、半導体製造に実際に使われている各種ドライエッチング装置に関し、プラズマ発生原理や特徴について解説するとともに、プロセスを制御する上で重要な役割を担っている静電チャックについても解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術がどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

<得られる知識・技術>
・ドライエッチングのメカニズムから応用まで、難しい数式を使うことなく全容を理解することができる。
・ドライエッチングを支配するパラメータとその制御法が分かり、エッチングプロセスを組立てる上での指針を得ることができる。
・半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置について学ぶことができ、実践的な知識が身に付く。

<プログラム>
1.はじめに ~半導体集積回路の発展とドライエッチング技術~
 1.1 ドライエッチングの概要
 1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2.ドライエッチングのメカニズム
 2.1 プラズマの基礎
 2.2 ドライエッチングの反応過程
 2.3 異方性エッチングのメカニズム
 2.4 エッチ速度

3.各種材料のエッチング
 3.1 ゲートエッチング

  3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
  3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
  3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
 3.2 SiO2エッチング
  3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
  3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
  3.2.3 形状制御
  3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング
 3.3 配線エッチング
  3.3.1 Al配線エッチング
  3.3.2 Al配線の防食処理技術
  3.3.3 その他の配線材料のエッチング

4.ドライエッチング装置
 4.1 CCPプラズマエッチャー
 4.2 マグネトロンRIE
 4.3 ECRプラズマエッチャー
 4.4 ICPプラズマエッチャー
 4.5 静電チャック


  □質疑応答・名刺交換□
■【2日目:最新動向コース】2019年10月3日(木) 9:30~13:00
ドライエッチングの最新技術動向とプラズマダメージおよびアトミックレイヤーエッチング​​
2日目のみお申込みされる方はこちら

<趣旨>
 半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて分かりやすく解説します。
 最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
 プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置のチャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。
 ALEに関しては最初に原理と特徴について解説し、次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

<得られる技術・知識>
・マルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングを始めとした、ドライエッチングの最新の技術動向を学ぶことができる。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング(ALE)の原理、応用について学ぶことができる。

<プログラム>
1.最新技術動向
 1.1 Low-k Cuダマシンエッチング
 1.2 メタルゲート/ High-kエッチング
 1.3 FinFETエッチング
 1.4 マルチパターニング

  1.4.1 SADP
  1.4.2 SAQP
 1.5 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
 1.6 3D IC用エッチング技術


2.ドライエッチングダメージ
 2.1 Si表面に導入されるダメージ
 2.2 チャージアップダメージ

  2.2.1 チャージアップダメージの評価方法
  2.2.2 チャージアップの発生メカニズム
  2.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
  2.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊
  2.2.5 デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
  2.2.6 チャージアップダメージによる不良事例

3.アトミックレイヤーエッチング(ALE)
 3.1 ALEの歴史
 3.2 今なぜALEが必要か
 3.3 ALEの原理と特徴
 3.4 SiのALE
 3.5 GaN,AlGaNのALE
 3.6 SiO2のALE


4.おわりに ~ドライエッチング技術の今後の課題と展望~

  □質疑応答・名刺交換□

留意事項

※書籍・セミナー・イーラーニングBOOKのご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

当社ホームページからお申込みいただきますと、サイエンス&テクノロジー株式会社から受講券および会場案内等をご指定の住所に送付いたします。
また、お申込の際、事前に会員登録をしていただきますとご購入時にポイントが付与され、 貯まったポイントはセミナーや書籍等のご購入にご利用いただけます。
会員登録はこちら

ご請求書は、弊社より別途郵送いたします。
銀行振り込みまたは郵便振替を選択された場合は、貴社お支払い規定(例:翌月末までにお振込み)に従い、お振込みをお願いいたします。
恐れ入りますが、振り込み手数料はご負担くださいますようお願いいたします。

個人情報等に関しましては、セミナーご参加目的に限り、当社からサイエンス&テクノロジー株式会社へ転送いたします。

お見積書や領収書が必要な場合もお申し付けください。
ご要望・ご質問・お問合せはこちら

【お支払方法について】

以下のお支払方法がご利用いただけます。

1.銀行振り込み
銀行振込
ご請求書を郵送いたします。
貴社お支払規定に従い、お振込ください。(セミナー当日までにお振込頂く必要はございません。)

2.クレジットカード
クレジットカード

3.楽天ID決済
楽天ID決済

4.コンビニ決済
クレジットカード

【領収書について】
領収書が必要な場合は、ご連絡ください。上記のいずれのお支払方法でも領収書を発行させて頂きます。

【同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)について】
同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)を申し込まれる場合、以下のように入力をお願いいたします。
  1. 同一法人割引き(2名同時申込みキャンペーン)で、「2名で参加」または「3名で参加」を選択してください。
  2. 購入数には、ご参加される人数を入力してください。(2名または3名)
システムの制限上、合計金額は人数分表示されますが、実際のご請求は割引後の価格でさせて頂きます。

関連商品

ページトップへ