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  • (9/18)先端および次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と今後の展望
(9/18)先端および次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と今後の展望
  • 価格:44,000円(税込) 55,000円(税込)

商品説明

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セミナー講師
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
次世代EUVL研究寄附講座 特任教授・名誉教授 渡邊 健夫 氏
<職歴>
1990.10 シャープ株式会社中央研究所入社 64MDRAMの開発に従事
1993.4 EUVLの研究に着手
1996.4 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 助手
2007.4 助教、2008年 准教授、2015年~2024年 教授 兼 EUVL研究開発センター長
2016.4~2023.3 同 研究所長 兼 EUVL研究開発センター長
2021.11~2023.31 学長特別補佐
2024年より現職
<外部委員>
・2024~ 文科省関連K-Program分科委員
(アドバイザー)
・2020~ Committee member of IRDS and SDRJ
半導体国際ロードマップ委員(Lithography)
・2021-2023 次世代電池・半導体技術開発
拠点推進協議会座長
<学会関連>
・Conference Chair of Photomask Japan
・President of the Photopolymer Sci. and Tech.
・Committee member of Blue-X Workshop
・Committee member of EUVL Workshop
・Committee member of Hyper NA EUVL Workshop
<主な受賞歴>
・2024.12 兵庫県科学賞受賞 他

セミナー趣旨
極端紫外線リソグラフィー技術について、Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLについてリソグラフィーの特徴と、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤 技術全般に亘り解説します。

講演内容

<得られる知識・技術>
Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLの特徴、並びにこれに係わる各基盤技術要素全般
(光源、光学系(多層膜を含む)、マスク、レジスト、ペリクルなど)


<プログラム>
1.はじめに 1.1 IoTおよびAIに期待すること
 1.2 半導体市場
 1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
 1.4 半導体微細加工技術の必要性
 1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
 1.6 今後の半導体技術に期待すること

2.リソグラフィー技術
 2.1 リソグラフィー技術の変遷
 2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
 2.3 EUVリソグラフィーとは EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要

3.兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
 3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
 3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

4.EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
 4.1 レジスト材料プロセス技術
 4.2 マスク欠陥技術
 4.3 ペリクル技術
 4.4 光源技術

5.次世代EUVリソグラフィー
 5.1 Hyper NA
 5.2 Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波化)

6.日本の半導体技術の過去、現在、今後 日本の半導体技術の覇権に重要な要素

7.まとめ


  □質疑応答□

価格:44,000円(税込) 55,000円(税込)

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