＜得られる知識・技術＞
・半導体パッケージに対する基礎的な理解
・半導体製造プロセスの概要（主にパッケージングプロセス）
・半導体パッケージング技術・封止技術とその実際
・評価技術、解析技術
・AI基盤を支える2.xD/3Dパッケージングとヘテロジーニアスインテグレーション

■1日目：2026年7月30日(木) 10:30～16:30■
１．半導体パッケージの基礎　～パッケージの進化・発展経緯～
　1.1 始まりはSIPとDIP、プリント板の技術進化に伴いパッケー ジ形態が多様化
　1.2 THD（スルーホールデバイス）とSMD（表面実装デバイス）
　1.3 各パッケージの紹介
　1.4 セラミックスパッケージとプラスチック（リードフレーム）パッケージとプリント基板パッケージ
　1.5 リードフレームの製造方法
　1.6 プリント基板パッケージの製造方法

２．パッケージングプロセス（代表例）
　2.1 セラミックスパッケージのパッケージングプロセス
　2.2 プラスチック（リードフレーム）パッケージのパッケージングプロセス
　2.3 プリント基板パッケージのパッケージングプロセス

３．各製造工程（プロセス）の技術とキーポイント
　3.1 前工程
　　3.1.1 BG（バックグラインド）
　　3.1.2 DC（ダイシング）
　　3.1.3 DB（ダイボンド）
　　3.1.4 WB（ワイヤーボンド）
　3.2 封止・モールド工程
　　3.2.1 封止：セラミックパッケージの場合
　　3.2.2 プラズマクリーニング
　　3.2.3 モールド
　3.3 後工程
　　3.3.1 外装メッキ
　　3.3.2 切断整形
　　3.3.3 ボール付け
　　3.3.4 シンギュレーション
　　3.3.5 捺印
　3.4 バンプ・FC（フリップチップ）パッケージの工程
　　3.4.1 再配線・ウェーハバンプ
　　3.4.2 FC（フリップチップ）
　　3.4.3 UF（アンダーフィル）
　3.5 パネルレベルパッケージング
　　3.5.1 工程フロー（RDLファースト）
　　3.5.2 部品内蔵
　3.6 試験工程とそのキーポイント
　　3.6.1 代表的な試験工程フロー
　　3.6.2 BI（バーンイン）工程
　　3.6.3 外観検査（リードスキャン）工程
　　3.6.4 ファームウェア書き込みはデバイスの差別化
　3.7 梱包工程とそのキーポイント
　　3.7.1 ベーキング・トレイ梱包・テーピング梱包

４．ここまでのまとめ

■2日目：2026年7月31日(金) 10:30～16:30■
５．過去に経験した不具合
　5.1 チップクラック
　5.2 ワイヤー断線
　5.3 パッケージが膨れる・割れる
　5.4 実装後、パッケージが剥がれる
　5.5 BGAのボールが落ちる・破断する
　5.6 捺印方向が180度回転する
　5.7 モールドボイド、未充填
　5.8 ダイボンド層の剥離
　5.9 顧客の実装後リードが曲がる
　5.10 梱包材からの異臭
　5.11 基板実装信頼性向上
　5.12 リード間の樹脂ダスト問題
　5.13 BGAのパッケージ反り

６．試作・開発時の評価、解析手法の例
　6.1 とにかく破壊試験と強度確認
　6.2 MSL（吸湿・リフロー試験）
　6.3 機械的試験と温度サイクル試験
　6.4 SAT（超音波探傷）、XRAY（CT)、シャドウモアレ
　6.5 開封、研磨、そして観察
　6.6 各種分析
　6.7 ガイドラインはJEITAとJEDEC

７．RoHS、グリーン対応とサステナビリティ
　7.1 鉛フリー対応
　7.2 ウィスカー評価
　7.3 樹脂の難燃材改良
　7.4 PFAS/PFOA/対応が次の課題
　7.5 AIデータセンターの電力消費削減に貢献するパッケージ材料

８．AI基盤を支える2.5D/3Dパッケージとチップレット技術
　8.1 2.5D（CoWoS等）・3Dパッケージの構造
　8.2 ハイブリッドボンディングと微細バンプ接続
　8.3 製造のキーはチップとインターポーザー間接合とTSV（シリコン貫通電極）
　8.4 基板とインターポーザーの進化（シリコンからガラス基板へ）
　8.5 AI向け大面積パッケージ特有の不具合（反り、局所熱応力）

９．AIの進化とパッケージングの未来
　9.1 AIデータセンター向け超多ピン・大型パッケージの熱マネジメント
　9.2 フィジカルAI（自動運転・ロボット）に求められる高信頼性・耐環境性
　9.3 光電融合（CPO：Co-Packaged Optics）技術とAI通信の高速化
　9.4 AIを支える電源供給技術（Power Delivery）とパッケージ内統合

１０．終わりに

　　□質疑応答□