【半導体製造プロセス：２日間セミナー】半導体パッケージングの基礎、各製造プロセス技術と今後のトレンド・将来展望
■半導体パッケージの基礎、パッケージングプロセス■■各製造工程（プロセス）の技術とキーポイント■■過去に経験した不具合、試作・開発時の評価、解析手法の例■■RoHS、グリーン対応、AI基盤を支える2.5D/3Dパッケージとチップレット技術■
受講可能な形式：【ライブ配信】のみ
| 日 時 | 【ライブ配信】 2026年7月30日（木） 10:30～16:30 | |
|---|---|---|
| 受講料(税込) | 88,000円 定価：本体80,000円＋税8,000円 【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の88,000円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料 定価：70,400円 定価：本体63,999円＋税6,401円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 | |
| ポイント還元 | 誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。 当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。 ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。 会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。 | |
| 配布資料 | Live配信受講：PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。 (開催前日を目安に、ダウンロード可となります) ※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。 | |
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| 備 考 | 資料 付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。 | |
セミナー講師
蛭牟田技術士事務所 代表 蛭牟田 要介 氏【経歴】
1984～2003：富士通株式会社
2003～2009：Spansion Japan株式会社
2009～2022：NVデバイス株式会社（旧社名富士通デバイス株式会社）
2022～ ：独立技術士
【専門分野】
半導体後工程・実装、品質・信頼性分野
・スーパーコンピュータ向け等ハイエンドのパッケージング技術開発
・メモリ／ロジックデバイスのLFパッケージング技術全域
・モバイル向けMCPパッケージング開発と実装接続信頼性向上
・特殊用途向けセンサーデバイス、SiP（システムインパッケージ）開発
・特殊用途向けパッケージの耐強電磁界対応技術開発
・デバイスのリユースを促進する洗浄技術開発
【WebSite】
note
https://note.com/heavyindustry
セミナー趣旨
現在、半導体は単なる電子部品から、経済安全保障の鍵となる重要コンポーネントへと位置づけが大きく変化しています 。前工程では2ナノメートルといった最先端技術が注目されたと思ったのも束の間、次の世代の1.xxナノメートルの開発も聞こえてきています。最先端の性能を使用する一部の機器以外の多くの半導体は最先端技術を必要としていないのが実情です 。一方で、高性能化を追求する最先端デバイスにおいては、異なる機能を持つ複数のチップ（チップレット）を集積し、トータル性能を向上させる「ヘテロジーニアスインテグレーション」をキーワードとして様々な技術開発が進んでいます 。
＜得られる知識・技術＞
・半導体パッケージに対する基礎的な理解
・半導体製造プロセスの概要（主にパッケージングプロセス）
・半導体パッケージング技術・封止技術とその実際
・評価技術、解析技術
・AI基盤を支える2.xD/3Dパッケージングとヘテロジーニアスインテグレーション
■1日目：2026年7月30日(木) 10:30～16:30■
１．半導体パッケージの基礎 ～パッケージの進化・発展経緯～
1.1 始まりはSIPとDIP、プリント板の技術進化に伴いパッケー ジ形態が多様化
1.2 THD（スルーホールデバイス）とSMD（表面実装デバイス）
1.3 各パッケージの紹介
1.4 セラミックスパッケージとプラスチック（リードフレーム）パッケージとプリント基板パッケージ
1.5 リードフレームの製造方法
1.6 プリント基板パッケージの製造方法
２．パッケージングプロセス（代表例）
2.1 セラミックスパッケージのパッケージングプロセス
2.2 プラスチック（リードフレーム）パッケージのパッケージングプロセス
2.3 プリント基板パッケージのパッケージングプロセス
３．各製造工程（プロセス）の技術とキーポイント
3.1 前工程
3.1.1 BG（バックグラインド）
3.1.2 DC（ダイシング）
3.1.3 DB（ダイボンド）
3.1.4 WB（ワイヤーボンド）
3.2 封止・モールド工程
3.2.1 封止：セラミックパッケージの場合
3.2.2 プラズマクリーニング
3.2.3 モールド
3.3 後工程
3.3.1 外装メッキ
3.3.2 切断整形
3.3.3 ボール付け
3.3.4 シンギュレーション
3.3.5 捺印
3.4 バンプ・FC（フリップチップ）パッケージの工程
3.4.1 再配線・ウェーハバンプ
3.4.2 FC（フリップチップ）
3.4.3 UF（アンダーフィル）
3.5 パネルレベルパッケージング
3.5.1 工程フロー（RDLファースト）
3.5.2 部品内蔵
3.6 試験工程とそのキーポイント
3.6.1 代表的な試験工程フロー
3.6.2 BI（バーンイン）工程
3.6.3 外観検査（リードスキャン）工程
3.6.4 ファームウェア書き込みはデバイスの差別化
3.7 梱包工程とそのキーポイント
3.7.1 ベーキング・トレイ梱包・テーピング梱包
４．ここまでのまとめ
■2日目：2026年7月31日(金) 10:30～16:30■
５．過去に経験した不具合
5.1 チップクラック
5.2 ワイヤー断線
5.3 パッケージが膨れる・割れる
5.4 実装後、パッケージが剥がれる
5.5 BGAのボールが落ちる・破断する
5.6 捺印方向が180度回転する
5.7 モールドボイド、未充填
5.8 ダイボンド層の剥離
5.9 顧客の実装後リードが曲がる
5.10 梱包材からの異臭
5.11 基板実装信頼性向上
5.12 リード間の樹脂ダスト問題
5.13 BGAのパッケージ反り
６．試作・開発時の評価、解析手法の例
6.1 とにかく破壊試験と強度確認
6.2 MSL（吸湿・リフロー試験）
6.3 機械的試験と温度サイクル試験
6.4 SAT（超音波探傷）、XRAY（CT)、シャドウモアレ
6.5 開封、研磨、そして観察
6.6 各種分析
6.7 ガイドラインはJEITAとJEDEC
７．RoHS、グリーン対応とサステナビリティ
7.1 鉛フリー対応
7.2 ウィスカー評価
7.3 樹脂の難燃材改良
7.4 PFAS/PFOA/対応が次の課題
7.5 AIデータセンターの電力消費削減に貢献するパッケージ材料
８．AI基盤を支える2.5D/3Dパッケージとチップレット技術
8.1 2.5D（CoWoS等）・3Dパッケージの構造
8.2 ハイブリッドボンディングと微細バンプ接続
8.3 製造のキーはチップとインターポーザー間接合とTSV（シリコン貫通電極）
8.4 基板とインターポーザーの進化（シリコンからガラス基板へ）
8.5 AI向け大面積パッケージ特有の不具合（反り、局所熱応力）
９．AIの進化とパッケージングの未来
9.1 AIデータセンター向け超多ピン・大型パッケージの熱マネジメント
9.2 フィジカルAI（自動運転・ロボット）に求められる高信頼性・耐環境性
9.3 光電融合（CPO：Co-Packaged Optics）技術とAI通信の高速化
9.4 AIを支える電源供給技術（Power Delivery）とパッケージ内統合
１０．終わりに
□質疑応答□
・半導体パッケージに対する基礎的な理解
・半導体製造プロセスの概要（主にパッケージングプロセス）
・半導体パッケージング技術・封止技術とその実際
・評価技術、解析技術
・AI基盤を支える2.xD/3Dパッケージングとヘテロジーニアスインテグレーション
■1日目：2026年7月30日(木) 10:30～16:30■
１．半導体パッケージの基礎 ～パッケージの進化・発展経緯～
1.1 始まりはSIPとDIP、プリント板の技術進化に伴いパッケー ジ形態が多様化
1.2 THD（スルーホールデバイス）とSMD（表面実装デバイス）
1.3 各パッケージの紹介
1.4 セラミックスパッケージとプラスチック（リードフレーム）パッケージとプリント基板パッケージ
1.5 リードフレームの製造方法
1.6 プリント基板パッケージの製造方法
２．パッケージングプロセス（代表例）
2.1 セラミックスパッケージのパッケージングプロセス
2.2 プラスチック（リードフレーム）パッケージのパッケージングプロセス
2.3 プリント基板パッケージのパッケージングプロセス
３．各製造工程（プロセス）の技術とキーポイント
3.1 前工程
3.1.1 BG（バックグラインド）
3.1.2 DC（ダイシング）
3.1.3 DB（ダイボンド）
3.1.4 WB（ワイヤーボンド）
3.2 封止・モールド工程
3.2.1 封止：セラミックパッケージの場合
3.2.2 プラズマクリーニング
3.2.3 モールド
3.3 後工程
3.3.1 外装メッキ
3.3.2 切断整形
3.3.3 ボール付け
3.3.4 シンギュレーション
3.3.5 捺印
3.4 バンプ・FC（フリップチップ）パッケージの工程
3.4.1 再配線・ウェーハバンプ
3.4.2 FC（フリップチップ）
3.4.3 UF（アンダーフィル）
3.5 パネルレベルパッケージング
3.5.1 工程フロー（RDLファースト）
3.5.2 部品内蔵
3.6 試験工程とそのキーポイント
3.6.1 代表的な試験工程フロー
3.6.2 BI（バーンイン）工程
3.6.3 外観検査（リードスキャン）工程
3.6.4 ファームウェア書き込みはデバイスの差別化
3.7 梱包工程とそのキーポイント
3.7.1 ベーキング・トレイ梱包・テーピング梱包
４．ここまでのまとめ
■2日目：2026年7月31日(金) 10:30～16:30■
５．過去に経験した不具合
5.1 チップクラック
5.2 ワイヤー断線
5.3 パッケージが膨れる・割れる
5.4 実装後、パッケージが剥がれる
5.5 BGAのボールが落ちる・破断する
5.6 捺印方向が180度回転する
5.7 モールドボイド、未充填
5.8 ダイボンド層の剥離
5.9 顧客の実装後リードが曲がる
5.10 梱包材からの異臭
5.11 基板実装信頼性向上
5.12 リード間の樹脂ダスト問題
5.13 BGAのパッケージ反り
６．試作・開発時の評価、解析手法の例
6.1 とにかく破壊試験と強度確認
6.2 MSL（吸湿・リフロー試験）
6.3 機械的試験と温度サイクル試験
6.4 SAT（超音波探傷）、XRAY（CT)、シャドウモアレ
6.5 開封、研磨、そして観察
6.6 各種分析
6.7 ガイドラインはJEITAとJEDEC
７．RoHS、グリーン対応とサステナビリティ
7.1 鉛フリー対応
7.2 ウィスカー評価
7.3 樹脂の難燃材改良
7.4 PFAS/PFOA/対応が次の課題
7.5 AIデータセンターの電力消費削減に貢献するパッケージ材料
８．AI基盤を支える2.5D/3Dパッケージとチップレット技術
8.1 2.5D（CoWoS等）・3Dパッケージの構造
8.2 ハイブリッドボンディングと微細バンプ接続
8.3 製造のキーはチップとインターポーザー間接合とTSV（シリコン貫通電極）
8.4 基板とインターポーザーの進化（シリコンからガラス基板へ）
8.5 AI向け大面積パッケージ特有の不具合（反り、局所熱応力）
９．AIの進化とパッケージングの未来
9.1 AIデータセンター向け超多ピン・大型パッケージの熱マネジメント
9.2 フィジカルAI（自動運転・ロボット）に求められる高信頼性・耐環境性
9.3 光電融合（CPO：Co-Packaged Optics）技術とAI通信の高速化
9.4 AIを支える電源供給技術（Power Delivery）とパッケージ内統合
１０．終わりに
□質疑応答□
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