1．はじめに
　1-1　パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
　1-2　結晶中の欠陥
　1-3　欠陥評価手法とその適用範囲

2．結晶評価手法
　2-1　選択性化学エッチング（エッチピット法）
　　2-1-1　SiCの溶融KOH+Na2O2エッチング
　　2-1-2　GaNのエッチピットおよびTEMによる検証
　　2-1-3　Ga2O3のKOH+NaOH共晶エッチングと熱リン酸処理
　2-2　透過型電子顕微鏡
　　2-2-1　gb解析による転位バーガースベクトルの判定
　　2-2-2　LACBED法
　2-3　多光子励起顕微鏡
　　2-3-1　多光子励起顕微鏡の原理
　　2-3-2　GaN結晶中の転位の多光子励起顕微鏡観察と3D可視化
　2-4　X線回折とX線トポグラフィー
　　2-4-1　X線回折
　　2-4-2　X線トポグラフィーの原理
　　2-4-3　反射配置と透過配置
　　2-4-4　SiCのX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-5　GaNのX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-6　Ga2O3のX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-7　AlNのX線トポグラフィーの評価例
　2-5　その他の手法

3．最新の研究内容
　3-1　異常透過および転位の動力学コントラスト
　3-2　X線トポグラフィーを用いたデバイスの評価
　3-3　結晶中欠陥の三次元可視化

質疑応答