(7/29)次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術

セミナー

次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術

～ワイドギャップ半導体の結晶評価の各手法の原理と適用事例、範囲と課題～

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

デバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因であるキラー欠陥の分布や種類を正確にとらえる
そして得た情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックするには
従来の半導体材料を凌駕する高電力密度、低損失、高温動作時の安定性などを持つ
4H-SiC、GaN、β-Ga?O?、AlN等のワイドギャップ化合物半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発を加速
動作中のデバイスの欠陥観察の最新の研究内容も解説

日　時	【ライブ配信】 2026年7月29日（水） 10:30～16:30
受講料(税込)	55,000円定価：本体50,000円＋税5,000円【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の55,000円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。　　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料定価：44,000円定価：本体40,000円＋税4,000円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
ポイント還元	誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。
配布資料	Live配信受講：PDFテキスト(印刷可・編集不可) 　※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。　　(開催前日を目安に、ダウンロード可となります) 　※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。
オンライン配信	【Live配信の視聴方法】【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】　ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。・ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）【テキスト】　テキストは、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードできます。　　(開催前日を目安に、ダウンロード可となります) 【マイページ】　ID(E-Mailアドレス)とパスワードをいれログインしてください。　　>> ログイン画面
備　考	資料　付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。

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(7/29)次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術

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セミナー講師

三重大学　研究基盤推進機構　半導体・デジタル未来創造センター　教授　博士（工学）　姚永昭　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNにに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因（いわゆるキラー欠陥）となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。

1．はじめに
　1-1　パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
　1-2　結晶中の欠陥
　1-3　欠陥評価手法とその適用範囲

2．結晶評価手法
　2-1　選択性化学エッチング（エッチピット法）
　　2-1-1　SiCの溶融KOH+Na2O2エッチング
　　2-1-2　GaNのエッチピットおよびTEMによる検証
　　2-1-3　Ga2O3のKOH+NaOH共晶エッチングと熱リン酸処理
　2-2　透過型電子顕微鏡
　　2-2-1　gb解析による転位バーガースベクトルの判定
　　2-2-2　LACBED法
　2-3　多光子励起顕微鏡
　　2-3-1　多光子励起顕微鏡の原理
　　2-3-2　GaN結晶中の転位の多光子励起顕微鏡観察と3D可視化
　2-4　X線回折とX線トポグラフィー
　　2-4-1　X線回折
　　2-4-2　X線トポグラフィーの原理
　　2-4-3　反射配置と透過配置
　　2-4-4　SiCのX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-5　GaNのX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-6　Ga2O3のX線トポグラフィーの評価例
　　2-4-7　AlNのX線トポグラフィーの評価例
　2-5　その他の手法

3．最新の研究内容
　3-1　異常透過および転位の動力学コントラスト
　3-2　X線トポグラフィーを用いたデバイスの評価
　3-3　結晶中欠陥の三次元可視化

質疑応答

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