1．半導体洗浄における不良発生
　1-1 半導体デバイス構造と微細化の進展
　1-2 製造プロセスにおける洗浄の役割
　1-3 なぜ洗浄不良は発生するのか
　1-4 化学洗浄と物理洗浄の役割分担
　1-5 先端半導体における洗浄工程の重要性

2．パーティクル付着・除去メカニズムと物理洗浄の本質
　2-1 パーティクル付着理論（DLVO理論）
　2-2 除去を支配する力学（流体・音響・接触）
　2-3 水流を用いた洗浄原理
　2-4 高圧スプレー洗浄
　2-5 二流体スプレー洗浄
　2-6 メガソニック洗浄
　2-7 ブラシ洗浄
　2-8 プロセスに応じた洗浄手法の使い分け
　　(1) 除去対象別の最適手法
　　(2) 過剰洗浄・ダメージの考え方
　　(3) 安全・信頼性リスク

3．洗浄プロセスにおける静電気障害と歩留まり不良
　3-1 洗浄工程における静電気障害の実例
　3-2 スプレー時に発生する帯電メカニズム
　3-3 静電気対策技術
　　(1) 炭酸水および機能水による効果
　　(2) 新たな帯電制御技術

4．次世代洗浄技術とプロセス最適化の方向性
　4-1 次世代物理洗浄技術
　　(1) インクジェット洗浄
　　(2) 超臨界洗浄
　　(3) ピンポイント洗浄
　　(4)　Solid Phase Clean洗浄
　4-2 プロセス最適化の考え方
　　(1) 条件設計の指針
　　(2) 再現性確保のポイント

5．国際会議動向と今後の技術トレンド
　5-1 UCPSS・SCSTの最新動向

質疑応用