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  • (9/29)【オンデマンド配信】プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応
(9/29)【オンデマンド配信】プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応
  • 価格:39,600円(税込) 49,500円(税込)

商品説明

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セミナー講師
SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長 兼 生産管理グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏
(※講演当時のご所属です。)
【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.
1989年4月 住友金属工業(株)に入社.
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング(現在)
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナー趣旨
当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

講演内容

<得られる知識・技術>
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

<プログラム>
1.プラズマCVD装置の基本構造

 1.1 プラズマCVD装置の構成
 1.2 反応チャンバーの基本構成

2.プラズマCVD装置の用途
 2.1 適用アプリケーション

3.プラズマCVD装置のプロセス性能
 3.1 SiH4系SiO2膜
 3.2 SiH4系SiN膜
 3.3 SiH4系SiON膜
 3.4 SiH4系a-Si膜
 3.5 SiH4系SiC膜
 3.6 TEOS系SiO2膜
 3.7 液体ソース系SiN膜

4.開発用装置と量産用装置
 4.1 プラットフォーム

5.プラズマCVD装置の課題と対策
 5.1 高レート化
 5.2 プロセスの再現性
 5.3 低パーティクル
 5.4 チャンバークリーニング
 5.5 ウェーハ温度の低温化
 5.6 ウェーハ大口径化  など

■Q&A■
 このセミナーの内容に関する質問に限り、講師とQ&Aをすることができます。
 具体的には配布資料に講師のメールアドレスを記載していますので、講師へ直接のメールにてご質問いただけます。
 (ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。)

価格:39,600円(税込) 49,500円(税込)

[ポイント還元 1,980ポイント~]

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