(9/29)【オンデマンド配信】プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

セミナー

＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞
プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による
高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術／課題と対策を解説■

視聴期間：申込日から10営業日後まで（期間中は何度でも視聴可）

日　時	【オンデマンド配信】 2026年9月29日（火） 23:59まで申込み受付中【収録日：2025年6月19日（映像時間：2時間31分）】　映像時間：2時間31分
受講料(税込)	49,500円定価：本体45,000円＋税4,500円【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の49,500円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。　　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料定価：39,600円定価：本体36,000円＋税3,600円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
ポイント還元	誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。
配布資料	PDFテキスト(印刷可・編集不可)：マイページよりダウンロード講師メールアドレスの掲載：有　※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。　※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。
会　場	【オンデマンド配信】オンライン配信
オンライン配信	オンデマンド配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
備　考	※セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。 ※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております。本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。

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(9/29)【オンデマンド配信】プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

価格:

39,600円 (税込) ～ 49,500円 (税込)

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テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信1名受講限定】	39,600円 (税込)	在庫あり
2名同時申込みで1名分無料	49,500円 (税込)	在庫あり
ライブ配信で参加	49,500円 (税込)	在庫あり
アーカイブ受講で参加	49,500円 (税込)	在庫あり

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セミナー講師

SPPテクノロジーズ(株)
製造部次長　兼　生産管理グループ長　兼　マーケティング部マネジャー　金尾寛人　氏
（※講演当時のご所属です。）
【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月　名古屋工業大学工学部第一部電気情報工学科を卒業．
1989年4月　住友金属工業(株)に入社．
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月　住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング（現在）
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナー趣旨

当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

＜得られる知識・技術＞
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

＜プログラム＞
１．プラズマCVD装置の基本構造
　1.1 プラズマCVD装置の構成
　1.2 反応チャンバーの基本構成

２．プラズマCVD装置の用途
　2.1 適用アプリケーション

３．プラズマCVD装置のプロセス性能
　3.1 SiH4系SiO2膜
　3.2 SiH4系SiN膜
　3.3 SiH4系SiON膜
　3.4 SiH4系a-Si膜
　3.5 SiH4系SiC膜
　3.6 TEOS系SiO2膜
　3.7 液体ソース系SiN膜

４．開発用装置と量産用装置
　4.1 プラットフォーム

５．プラズマCVD装置の課題と対策
　5.1 高レート化
　5.2 プロセスの再現性
　5.3 低パーティクル
　5.4 チャンバークリーニング
　5.5 ウェーハ温度の低温化
　5.6 ウェーハ大口径化　　など

■Ｑ＆Ａ■
　このセミナーの内容に関する質問に限り、講師とQ&Aをすることができます。
　具体的には配布資料に講師のメールアドレスを記載していますので、講師へ直接のメールにてご質問いただけます。
　（ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。）

※書籍・セミナー・手順書のご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

当社ホームページからお申込みいただきますと、サイエンス＆テクノロジー株式会社より、お申込み時にご入力いただきましたメールアドレスにご視聴方法のご案内をお送りいたします。
また、お申込の際は、事前に会員登録をしていただきますとポイントが付与され、ポイントはセミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。
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ご請求書（PDF）は、弊社よりお申込み時にご入力いただきましたメールアドレスに添付しお送りいたします。
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