中部大学 電気電子システム工学科 教授 博士（工学） 中野 由崇氏
[専門]
半導体工学 欠陥準位
[経歴]
1991年4月 (株)豊田中央研究所　入社
・デバイス部にて車載用Siパワーデバイスの局所ライフタイム制御技術の開発、GaNパワーデバイスの要素技術の開発
・特別研究室にて可視光応答型光触媒の開発
2008月1月 中部大学に転籍
2024年7月－ NEDO 経済安全保障重要技術育成プログラム 「β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発」にて
β-Ga2O3ウエハ欠陥検査技術の開発に従事

ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム（β?Ga?O?）はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ?Ga?O?などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法(SSPC)の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ?Ga?O?に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。