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(6/25)光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価【ライブ配信】

セミナー

光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価


受講可能な形式:【ライブ配信】のみ

日 時 【ライブ配信】 2026年6月25日(木) 13:00~16:30
受講料(税込) 49,500円
定価:本体45,000円+税4,500円

【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額の49,500円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
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※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
  (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

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配布資料 Live配信受講:PDFテキスト(印刷可・編集不可)

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オンライン配信 【Live配信の視聴方法】
【ライブ配信(Zoom使用)セミナー】
 ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

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【テキスト】
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【マイページ】
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備 考 資料 付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

(6/25)光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価【ライブ配信】

価格:

49,500円 (税込)

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セミナー講師
中部大学 電気電子システム工学科 教授 博士(工学) 中野 由崇氏
[専門]
半導体工学 欠陥準位
[経歴]
1991年4月 (株)豊田中央研究所 入社
・デバイス部にて車載用Siパワーデバイスの局所ライフタイム制御技術の開発、GaNパワーデバイスの要素技術の開発
・特別研究室にて可視光応答型光触媒の開発
2008月1月 中部大学に転籍
2024年7月- NEDO 経済安全保障重要技術育成プログラム 「β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発」にて
β-Ga2O3ウエハ欠陥検査技術の開発に従事

セミナー趣旨
ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム(β?Ga?O?)はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ?Ga?O?などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法(SSPC)の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ?Ga?O?に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。

講演内容

1.光容量分光法(SSPC)の測定原理と特徴
 1-1.DLTS法の測定原理
 1-2.光容量分光法(SSPC)の測定原理
 1-3.SSPC微分解析による熱的準位と格子緩和の抽出

2.GaNへの適用例
 2-1.AlGaN/GaNヘテロ構造に存在する欠陥準位
 2-2.p-GaNホモエピ膜に存在する欠陥準位

3.β?Ga?O?への適用例
 3-1.EFG単結晶基板に存在する欠陥準位
 3-2.HVPEホモエピ膜に存在する欠陥準位


[スケジュール]
13:00~14:30 ご講義
14:30~14:45 小休憩
14:45~16:15 ご講義
16:15~16:30 質疑応答
上記は目安です。進行状況などにより前後する可能性があります。

留意事項

※書籍・セミナー・手順書のご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

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