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(9/29)【オンデマンド配信】レオロジー測定・データ解釈の勘どころ

(9/29)【オンデマンド配信】レオロジー測定・データ解釈の勘どころ

44,000円(税込)
粘度測定およびレオロジー測定の基本的な考え方、各種レオロジー変数の求め方、評価に最適な温度制御システムや測定治具の選択方法などレオロジー測定の初心者の方も興味深く聴講いただけます。
(9/29)SOFC/SOECの基礎と劣化機構・高耐久化技術~セル・電極材料の設計指針~

(9/29)SOFC/SOECの基礎と劣化機構・高耐久化技術~セル・電極材料の設計指針~

39,600円(税込)
SOFC/SOECは高効率発電、水素製造・CO2分解が可能なことから、今後求められる化石燃料の高効率利用、再エネ利用の拡大、炭素循環のための中核技術であると言えます。本セミナーでは、SOFC/SOECの基礎から開発動向や技術課題、特に、電極材料、金属インターコネクト材料など構成材料の劣化機構、耐久性・信頼性向上に向けた設計指針について解説します。
(9/29)膜分離技術の基礎と膜ろ過のプロセス設計・膜性能評価およびファウリング対策

(9/29)膜分離技術の基礎と膜ろ過のプロセス設計・膜性能評価およびファウリング対策

39,600円(税込)
膜を用いた水処理技術は,下廃水処理,海水淡水化,超純水製造など幅広い分野で用いられている。分離膜を使用すること自体は全く難しくないものの,分離試験を適切に行い,試験データを正しく解析しないと,スケールアップに繋げることができない。本講演では,最初に膜分離技術の基礎を丁寧に解説する。
(9/29)高分子の設計・加工に役立つ基盤技術知識【レオロジー】&【副資材】2セット受講

(9/29)高分子の設計・加工に役立つ基盤技術知識【レオロジー】&【副資材】2セット受講

70,400円(税込)
高分子の設計・加工に役立つ基盤技術知識【レオロジー】&【副資材】2セット受講
(9/29)高分子技術者のためのレオロジー【入門と実践活用】

(9/29)高分子技術者のためのレオロジー【入門と実践活用】

44,000円(税込)
高分子物質の最大の特徴は分子が著しく長いことであり、その特徴を上手く利用して材料設計や成形加工を行わねばなりません。そのためには高分子レオロジーの知見が必要不可欠です。本講座では、数式をほとんど使わずにレオロジーの本質を理解していただき、それを高分子材料の設計や構造解析、さらにはトラブルシューティングを含めた成形加工技術に応用してもらうことを目的としています。
(9/30)研究開発現場のための少量化学品・サンプル輸入時の法令対応と注意点

(9/30)研究開発現場のための少量化学品・サンプル輸入時の法令対応と注意点

39,600円(税込)
化学品を輸入する場合には、たとえ微量・少量のサンプルであっても、その化学品が国内の化学物質管理に関する各種法令によって、どのような規制を受けるのかを事前に確認し、必要な手続きを行わなければなりません。これは、輸入者が負う重要な責任であり、法的義務でもあります。
(9/30)トライボロジーの基礎とプラスチック材料の摩擦摩耗特性向上

(9/30)トライボロジーの基礎とプラスチック材料の摩擦摩耗特性向上

44,000円(税込)
高分子材料(プラスチック材料)は軽量・安価・成形性などに優れ、また低摩擦を示す材料が多いことから摩擦面への適用が進んでいますが、金属材料と比較すると機械的強度や耐熱性に劣ることがネックになっています。摩擦が関連するシーンでプラスチックを扱っている、もしくはこれから扱う方で、トライボロジーのことはよく分からないという方を対象にしています。
(9/30)Excelと例題で学ぶ 直交表実験入門

(9/30)Excelと例題で学ぶ 直交表実験入門

39,600円(税込)
実験計画法の基本的な考え方と、直交表を用いた実験設計・解析の進め方を解説する。
(10/2)導電性高分子の基礎と高導電化・高機能化技術および最新技術動向

(10/2)導電性高分子の基礎と高導電化・高機能化技術および最新技術動向

44,000円(税込)
導電性高分子は電解コンデンサ、透明帯電防止および透明導電電極として実用化されています。いずれの用途においても、PEDOT:PSSは有力な材料ですが、より高い電気伝導度が求められています。最近では15,000 S/cmを越える超高導電PEDOT:PSSも報告されています。また、PEDOT系以外の導電性高分子の高導電化に関しても多くの手法が開発され、10^5 S/cmを超えるものも報告されております。
(10/2)ALD(原子層堆積法)の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

(10/2)ALD(原子層堆積法)の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

55,000円(税込)
最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD(Atomic Layer Deposition、原子層堆積法)は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、3次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。

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