(6/29)パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

セミナー

パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

～SiC結晶、欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法～

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっているSiCウェハに含まれている多くの結晶欠陥を評価するには
SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
「欠陥」が発生するメカニズム、SiCウェハの欠陥評価法を理解し、高品質な結晶成長の実現へ

日　時	【ライブ配信】 2026年6月29日（月） 13:00～16:30
受講料(税込)	49,500円定価：本体45,000円＋税4,500円【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の49,500円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。　　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料定価：39,600円定価：本体36,000円＋税3,600円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
ポイント還元	誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。
配布資料	Live配信受講：PDFテキスト(印刷可・編集不可) 　※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。　　(開催前日を目安に、ダウンロード可となります) 　※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。
オンライン配信	【Live配信の視聴方法】【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】　ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。・ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）【テキスト】　テキストは、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードできます。　　(開催前日を目安に、ダウンロード可となります) 【マイページ】　ID(E-Mailアドレス)とパスワードをいれログインしてください。　　>> ログイン画面
備　考	資料　付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。

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(6/29)パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

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セミナー講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター　未来デバイス部
准教授　博士（工学）　原田俊太　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

1．はじめに：SiCパワーデバイスと結晶欠陥
　1．SiCパワーデバイスの特性と高品質SiC結晶基板の重要性
　2．SiC基板市場の現在地と供給状況
　3．SiCウェハにおける「品質」とは

2．SiCの結晶構造
　4．SiCの結晶多形（Polytype）とその記述
　5．六方晶の結晶方位（四指数法）
　6．Si面とC面、オフ角

3．結晶欠陥の基礎
　7．結晶欠陥の種類（点欠陥・線欠陥・面欠陥）
　8．転位の基礎（刃状転位・らせん転位・混合転位）

4．SiC結晶欠陥の種類とデバイスへの影響
　9．SiC特有の欠陥（マイクロパイプ・貫通転位・基底面転位）
　10．貫通転位の分類（TSD・TED・TMD）と基底面転位（BPD）
　11．積層欠陥とエピ膜中の欠陥
　12．デバイスリーク電流・耐圧への影響
　13．酸化膜信頼性への影響
　14．バイポーラ劣化と積層欠陥拡張メカニズム

5．結晶欠陥の評価法
　15．結晶欠陥評価法の全体像
　16．X線トポグラフィ法（放射光トポグラフィ含む）
　17．フォトルミネッセンス法（PL）
　18．偏光顕微鏡法（PLM）
　19．KOHエッチング法
　20．透過電子顕微鏡法（TEM）
　21．各評価手法の特徴と適用範囲

6．マルチモーダル解析と自動検出
　22．結晶欠陥のマルチモーダル解析
　23．複数評価手法による同一欠陥の対応付け
　24．欠陥自動検出アルゴリズム（画像処理）

7．結晶欠陥制御の実例
　25．昇華法・溶液法による結晶成長と欠陥低減
　26．イオン注入による積層欠陥拡張の抑制技術

まとめ・質疑応答
　27．まとめ：SiC結晶欠陥評価・制御の重要性
　28．質疑応答

※書籍・セミナー・手順書のご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。

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