ＣＶＤ装置・ＡＬＤ装置における
化学反応・プロセス・流れ解析と最適化
■化学気相堆積法(CVD)／原子層堆積法(ALD)を基礎から解説します！■■熱とプラズマの中で起きている化学反応と流れ、成膜メカニズムとは？■
受講可能な形式：【ライブ配信（アーカイブ配信付）】or【アーカイブ配信】
| 日 時 | 【ライブ配信】 2026年7月27日（月） 10:30～16:30 【アーカイブ配信】 2026年8月17日（月） まで受付 ［視聴期間：8/17(月)～8/28(金］ | |
|---|---|---|
| 受講料(税込) | 55,000円 定価：本体50,000円＋税5,000円 【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の55,000円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料 定価：44,000円 定価：本体40,000円＋税4,000円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 | |
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| 備 考 | 資料 付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。 | |
セミナー講師
反応装置工学ラボ・代表 羽深 等 氏 【横浜国立大学 名誉教授】＜経歴・専門など＞
職歴：信越化学工業株式会社（1981～2000）、国立大学法人 横浜国立大学（2000～2022）
分野：半導体結晶と薄膜材料製造技術に関わる化学工学研究
物質：シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、SiCNO、GaAsP、InPなど
製造技術の例：薄膜形成（熱CVD, プラズマCVD）の装置とプロセス、ノンプラズマドライエッチングプロセス開発、半導体ウエハ洗浄装置の流れ解析と設計、多成分系有機物表面汚染挙動解析
取組みの視点：プロセスと装置の設計・開発と検証、熱流体と化学反応の活用、表面吸着・脱離・反応の測定・解析と設計
所属学会・機関：化学工学会(シニア会員)、応用物理学会、米国化学会、米国電気化学会(名誉会員)、特定非営利活動法人YUVEC理事長、一般社団法人 ミニマルファブ推進機構代表理事
＜WebSite＞
反応装置工学ラボ
セミナー趣旨
化学気相堆積（CVD）法と原子層堆積（ALD）法は、半導体をはじめとする様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法です。これには、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が並行するため、複雑な印象を受けてしまいます。そこで熱とプラズマの中で起きている化学反応と流れを観察し、解析することにより成膜機構を理解した事例、工夫した事例、排ガス管内堆積物から成膜機構を推定した事例などを紹介します。成膜装置全体で生じている現象の全体像を理解して実務に活かし、装置と工程の維持・管理・最適化に繋げることが可能です。装置、反応とプロセスを進歩させる入口になれば幸いです。
＜得られる知識・技術＞
１．CVD法とALD法の基本現象
２．成膜装置全体に起こっている現象の捉え方
３．色々な情報を用いて化学反応と流れを推定する方法
４．成膜結果の関数化表現と活用例
５．副生成物の挙動と影響
６．最適化の考え方
７．装置部材、センサーなどが晒される状態
８．装置状態の検知と維持管理の要点
＜プログラム＞
１．序論
1.1 ＣＶＤ法とＡＬＤ法の原理、成膜理由、装置、事例、条件と要因、反応励起方法
1.2 微細化と成膜方法の使い分け
２．化学反応速度の基礎
2.1 化学反応の基礎と反応速度式の考え方
2.2 律速過程
３．表面反応・気相反応
3.1 表面反応・気相反応
3.2 諸要因（反応の場所、膜と基板、温度環境、格子定数、熱膨張など）と膜質
４．その場観察方法
4.1 ガス採取場所の選択と注意
4.2 主な方法：四重極質量分析法、圧電性結晶振動子法、赤外分光法
５．膜の分析方法
5.1 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法（ＸＰＳ，ＳＩＭＳ，ＥＤＸ，など）
5.2 分析結果の解釈に困った時
６．反応の場を考慮した反応解析事例
6.1 流れの方向と膜厚の関係：観察例と数値計算例
6.2 装置の形と膜質（ドーパント濃度分布の実測と解析）
6.3 基板回転の効果（膜厚平均化、流れの引寄せによる成膜高速化）
6.4 ＡＬＤ装置内の流れと熱（数値解析例）
７．膜分析とガス分析の活用事例
7.1 成膜とドーピングの反応機構構築（排ガス分析、数値解析）
7.2 前駆体相互作用（クロロシラン、メチルシラン、三塩化ホウ素）の解釈と反応設計
7.3 炭化ケイ素と窒化ガリウムの成膜機構の例
7.4 多元系膜のプラズマＣＶＤ反応機構解析例
８．副生成物から推定される反応機構
8.1 製膜装置内の場所と副生成物の特徴
8.2 クロロシランによるＳｉとＳｉＣの成膜時の副生成物（危険性と解消法）
９．最適化の考え方
9.1 諸成膜要因の効果と活用（温度、濃度、流量、律速過程、回転）
9.2 装置内全体の反応状態と堆積物（膜と副生成物）
9.3 装置クリーニングと装置部材の耐腐食性
9.4 解析・モデル化の進め方（要因の発見と機構の決定）
１０．まとめ
□質疑応答□
１．CVD法とALD法の基本現象
２．成膜装置全体に起こっている現象の捉え方
３．色々な情報を用いて化学反応と流れを推定する方法
４．成膜結果の関数化表現と活用例
５．副生成物の挙動と影響
６．最適化の考え方
７．装置部材、センサーなどが晒される状態
８．装置状態の検知と維持管理の要点
＜プログラム＞
１．序論
1.1 ＣＶＤ法とＡＬＤ法の原理、成膜理由、装置、事例、条件と要因、反応励起方法
1.2 微細化と成膜方法の使い分け
２．化学反応速度の基礎
2.1 化学反応の基礎と反応速度式の考え方
2.2 律速過程
３．表面反応・気相反応
3.1 表面反応・気相反応
3.2 諸要因（反応の場所、膜と基板、温度環境、格子定数、熱膨張など）と膜質
４．その場観察方法
4.1 ガス採取場所の選択と注意
4.2 主な方法：四重極質量分析法、圧電性結晶振動子法、赤外分光法
５．膜の分析方法
5.1 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法（ＸＰＳ，ＳＩＭＳ，ＥＤＸ，など）
5.2 分析結果の解釈に困った時
６．反応の場を考慮した反応解析事例
6.1 流れの方向と膜厚の関係：観察例と数値計算例
6.2 装置の形と膜質（ドーパント濃度分布の実測と解析）
6.3 基板回転の効果（膜厚平均化、流れの引寄せによる成膜高速化）
6.4 ＡＬＤ装置内の流れと熱（数値解析例）
７．膜分析とガス分析の活用事例
7.1 成膜とドーピングの反応機構構築（排ガス分析、数値解析）
7.2 前駆体相互作用（クロロシラン、メチルシラン、三塩化ホウ素）の解釈と反応設計
7.3 炭化ケイ素と窒化ガリウムの成膜機構の例
7.4 多元系膜のプラズマＣＶＤ反応機構解析例
８．副生成物から推定される反応機構
8.1 製膜装置内の場所と副生成物の特徴
8.2 クロロシランによるＳｉとＳｉＣの成膜時の副生成物（危険性と解消法）
９．最適化の考え方
9.1 諸成膜要因の効果と活用（温度、濃度、流量、律速過程、回転）
9.2 装置内全体の反応状態と堆積物（膜と副生成物）
9.3 装置クリーニングと装置部材の耐腐食性
9.4 解析・モデル化の進め方（要因の発見と機構の決定）
１０．まとめ
□質疑応答□
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