2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向
Cu/Low-k配線の限界、Cu延命技術、Ru/Airgap・代替材料、信頼性課題、裏面電源配線（BSPDN）
受講可能な形式：【ライブ配信】のみ
| 日 時 | 【ライブ配信】 2026年7月24日（金） 13:00～16:30 | |
|---|---|---|
| 受講料(税込) | 49,500円 定価：本体45,000円＋税4,500円 【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の49,500円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料 定価：39,600円 定価：本体36,000円＋税3,600円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 | |
| ポイント還元 | 誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。 当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。 ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。 会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。 | |
| 配布資料 | Live配信受講：PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。 (開催前日を目安に、ダウンロード可となります) ※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。 | |
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| 備 考 | 資料 付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。 | |
セミナー講師
芝浦工業大学 名誉教授 工学博士 上野 和良 氏専門：集積回路配線プロセス
1984―2006：NEC、NECエレクトロニクスで半導体デバイス、集積回路配線の研究開発（Cu配線プロセスと高信頼化）
2006ー2025：芝浦工業大学教授（ナノエレクトロニクス研究室）、次世代配線材料プロセスの研究（グラフェンの配線・RFデバイス応用など）
2025―現在：2nm以降の配線技術研究
セミナー趣旨
近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。
１．集積回路配線の基礎知識
1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
1.2 配線の役割と性能指標
1.2.1 配線の役割
1.2.2 階層化された多層配線構造
1.2.3 配線の性能指標
1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
1.3 配線信頼性の基礎知識
1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
1.3.3 エレクトロマイグレーション（EM）
1.3.4 ストレス誘起ボイド（SIV）
1.3.5 TDDB
1.3.6 耐湿信頼性
1.4 Cu/Low-k配線プロセス
1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）
２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
2.2 Cu配線の延命
2.2.1 Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
2.2.3 Cu埋め込み法の改善
2.2.4 グラフェンキャップによる改善
2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
2.3 Cu代替配線配線材料
2.3.1 代替配線材料の選択基準
2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
2.3.4 モリブデン
2.3.5 グラフェン
2.3.6 その他の代替配線材料
2.4 2nm以降の配線信頼性
2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
2.5 新構造とプロセス
2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
2.5.2 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積
□質疑応答□
1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
1.2 配線の役割と性能指標
1.2.1 配線の役割
1.2.2 階層化された多層配線構造
1.2.3 配線の性能指標
1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
1.3 配線信頼性の基礎知識
1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
1.3.3 エレクトロマイグレーション（EM）
1.3.4 ストレス誘起ボイド（SIV）
1.3.5 TDDB
1.3.6 耐湿信頼性
1.4 Cu/Low-k配線プロセス
1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）
２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
2.2 Cu配線の延命
2.2.1 Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
2.2.3 Cu埋め込み法の改善
2.2.4 グラフェンキャップによる改善
2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
2.3 Cu代替配線配線材料
2.3.1 代替配線材料の選択基準
2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
2.3.4 モリブデン
2.3.5 グラフェン
2.3.6 その他の代替配線材料
2.4 2nm以降の配線信頼性
2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
2.5 新構造とプロセス
2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
2.5.2 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積
□質疑応答□
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