微細Cu配線・Low?k材料・BS?PDNに見る先端多層配線技術
～Cu代替材料・ナノカーボン・Air-Gap・PowerViaまで徹底解説～
～「多層配線/2.5D・3Dデバイス」2日間セミナー1日目～
受講可能な形式：【ライブ配信（アーカイブ配信付）】or【アーカイブ配信】
AI、5G、自動運転などの進展により、先端半導体では多層配線の微細化・高密度化・低消費電力化が強く求められています。
本セミナーでは、多層配線技術の進化の歴史を振り返りながら、Cuダマシン配線、Low-k絶縁膜、Air-Gap技術、BS-PDN（裏面電源供給）などの最新技術動向を解説します。さらに、Co・RuなどのポストCu材料やCNT・グラフェンなどのナノカーボン材料の可能性にも触れ、次世代半導体を支える配線技術の全体像を学びます。
本ページは9/2,9/9「多層配線/2.5D・3Dデバイス」2日間セミナー 1日目のみの申込みページです。
※2日間セミナーの詳細：申し込みはこちら※
9月2日(水)・9月9日(水)「
先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】
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■9月9日(水)13:00～17:00「
HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向
」■
本セミナーでは、多層配線技術の進化の歴史を振り返りながら、Cuダマシン配線、Low-k絶縁膜、Air-Gap技術、BS-PDN（裏面電源供給）などの最新技術動向を解説します。さらに、Co・RuなどのポストCu材料やCNT・グラフェンなどのナノカーボン材料の可能性にも触れ、次世代半導体を支える配線技術の全体像を学びます。
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先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】
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HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向
」■
| 日 時 | 【ライブ配信】 2026年9月2日（水） 13:00～17:00 | |
|---|---|---|
| 受講料(税込) | 49,500円 定価：本体45,000円＋税4,500円 【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の49,500円）】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料 定価：39,600円 定価：本体36,000円＋税3,600円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 | |
| ポイント還元 | 誠に勝手ながら2020年4月1日より、会員割引は廃止とさせて頂きます。 当社では会員割引に代わり、会員の方にはポイントを差し上げます。 ポイントは、セミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。 会員でない方はこちらから会員登録を行ってください。 | |
| 配布資料 | Live配信受講：PDFテキスト(印刷可・編集不可) アーカイブ配信：PDFテキスト（印刷可・編集不可） ※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。 (開催前日を目安に、ダウンロード可となります) ※アーカイブ配信受講の場合は、配信日にマイページよりダウンロード可。 ※ダウンロードには、会員登録（無料）が必要となります。 | |
| オンライン配信 | 【Live配信の視聴方法】 【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】 ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。 ・ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） ・アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください） 【テキスト】 テキストは、電子媒体(PDFデータ／印刷可)をマイページよりダウンロードできます。 (開催前日を目安に、ダウンロード可となります) 【マイページ】 ID(E-Mailアドレス)とパスワードをいれログインしてください。 >> ログイン画面 | |
| 備 考 | 資料 付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 本セミナーはサイエンス＆テクノロジー株式会社が主催いたします。 | |
セミナー講師
名古屋大学 未来社会創造機構 客員教授 兼 技術コンサルタント(半導体分野)元 (株)東芝 研究開発センター 首席技監
柴田 英毅 氏
【専門】
半導体デバイス・プロセス技術 ／ 半導体集積回路技術 ／ 多層配線形成技術 ／ 三次元デバイス集積化技術
MEMS技術 ／ 光伝送技術 ／ 材料強度学 ／ 金属疲労学 固体物理学 ／ 薄膜材料物性学
【所属学会・業界での活動】
JEITA STRJ (半導体技術ロードマップ専門委員会) 配線WG委員長
ITRS国際半導体技術Roadmap Interconnect-TWG(Co-Chair)
Selete研究運営委員及び先端コアBEPプログラム委員
半導体MIRAIプロジェクト/Selete-NSI (Nano. Silicon Integration) 技術委員
応用物理学会 集積化MEMS技術研究会副委員長
SSDM組織委員、SIRIJ業界戦略委員、COCN(産業競争力懇談会)Proj.S委員会委員
内閣府FIRST/ImPACT/SIPの東芝側実用化・事業化責任者、他多数
【著書、論文、特許】
・ロジックLSI技術の革新(培風館)
・半導体プロセス技術(培風館)
・応用物理ハンドブック(丸善)
・Cu配線技術の最新の展開(サイペック)
・異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用(シーエムシー出版)
・審査付き学術論文及び主要国際学会での論文発表：計91件
・国内学会・セミナー・学術専門委員会等での講演：計70回
・登録特許数：計73件
【受賞歴】
日刊工業新聞社十大新製品賞
IEEE IITC2005 Best Paper Award受賞
IMAPS2009 Best Paper Award受賞
ADMETA2009 Best Paper Award受賞
ADMETA2012 Best Paper Award、Technical Achievement Award受賞
社長特別表彰 (功績賞)
電気学会センサ・マイクロマシン部門「優秀技術論文賞」
【「多層配線/2.5D・3Dデバイス2日間」2日間セミナー 1日目：2026年9月2日(水) 13:00～17:00】
▼2日間セミナーの詳細：申し込みはこちら▼
9月2日(水)・9月9日(水)「先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化【2日間セミナー】」
１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
1.4 多層配線技術の進化の足跡
1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
２．微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎～最新動向
2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
2.5 バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法, MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
2.10 Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)
2.11 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
2.12 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
2.13 W，Co，Ru，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
2.14 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
2.15 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
2.16 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果
３．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
3.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
3.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3.3 ITRS(国際半導体技術ロードマップ委員会)Low-kロードマップの課題と大改訂
3.4 比誘電率(k)低減化の手法と材料候補(SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
3.5 層間絶縁膜(ILD)構造の比較検討(Monolithic vs. Hybrid)
3.6 材料物性から見たLow-k材料の課題(低機械強度, 低プラズマダメージ耐性など)
3.7 Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
3.8 Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
3.9 Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
3.10 Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解
4．ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN, PowerVia, SPR)の形成技術の最新動向
4.1ウエハ裏面への電源供給配線網(BS-PDN)形成の経緯・背景と特徴、課題
4.2 埋め込み電源線(BPR)と裏面の電源供給配線網(BS-PDN)の接続形態と構造
4.3 BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4.4 BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
4.5 IntelによるPoweViaの概要と特徴, テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
4.6 TSMCもA16世代からSPRを採用へ、Samsungも2nm世代(SF2Z)からBSPDNを採用へ
□ 質疑応答 □
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１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
1.4 多層配線技術の進化の足跡
1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
２．微細Cuダマシン配線技術及びPost-Cu配線形成技術の基礎～最新動向
2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
2.5 バリアメタル及びSeedスパッタ法の変遷と課題
2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法, MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
2.10 Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)
2.11 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
2.12 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
2.13 W，Co，Ru，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
2.14 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
2.15 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
2.16 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果
３．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
3.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
3.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
3.3 ITRS(国際半導体技術ロードマップ委員会)Low-kロードマップの課題と大改訂
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4.2 埋め込み電源線(BPR)と裏面の電源供給配線網(BS-PDN)の接続形態と構造
4.3 BS-PDNを形成するための貼合プロセス例と接続断面構造
4.4 BS-PDNにおける回路ブロック面積及びIRドロップの低減効果
4.5 IntelによるPoweViaの概要と特徴, テストチップの評価結果、20A世代からの採用計画
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※書籍・セミナー・手順書のご注文に関しましては株式会社イーコンプレスが担当いたします。
当社ホームページからお申込みいただきますと、サイエンス＆テクノロジー株式会社より、お申込み時にご入力いただきましたメールアドレスにご視聴方法のご案内をお送りいたします。
また、お申込の際は、事前に会員登録をしていただきますとポイントが付与され、ポイントはセミナーや書籍等のご購入時にご利用いただけます。
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銀行振り込みを選択された場合は、貴社お支払い規定（例：翌月末までにお振込み）に従い、お振込みをお願いいたします。
恐れ入りますが、振り込み手数料はご負担くださいますようお願いいたします。
個人情報等に関しましては、セミナーご参加目的に限り、当社からサイエンス＆テクノロジー株式会社へ転送いたします。
お見積書や領収書が必要な場合もお申し付けください。
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